近日，TSMC和ARM联合宣布，基于在20纳米和16纳米工艺上的成功合作经验，未来将与10纳米FinFET技术合作，打造ARMv8-A架构的64位ARM处理器。预计最早可于2015年第四季度向客户提供基于10nm FinFET技术的64位ARM处理器的设计方案。
TSMC与ARM合作多年，他们在20nm和16nm工艺上已经有了丰富的合作经验。双方都相信，下一个10纳米FinFET工艺将为ARM处理器行业带来更大的效率和功耗优势。此前，TSMC和ARM已经完成了64位大的生产验证。16纳米FinFET工艺下的小ARM处理器，而华为HiSilicon也成为了TSMC 16纳米FinFET工艺的第一个客户。
目前，TSMC和ARM正在密切合作10纳米FinFET工艺。双方对此次合作充满信心，希望合作成果能为客户提供先进的工艺技术，加速客户产品的开发。
